高密度硅電容器采用半導(dǎo)體MOS工藝開發(fā)，通過3D結(jié)構(gòu)，大幅度增加了電極面積，從而提高了給定面積的電容量。

這種先進的3D拓撲結(jié)構(gòu)提供了一個出色的有源電容面積，相當(dāng)于80個陶瓷層，厚度為100微米。由于一個非常線性和低色散的介質(zhì)，小型化，電容值和電氣性能進行了優(yōu)化。這在要求應(yīng)用在更小的封裝中具有更高的性能。

消費市場中，基于3D硅架構(gòu)的獨特技術(shù)能夠?qū)⑷ヱ铍娙葜苯臃胖迷谔幚砥髋赃?/span>，硅基可提供超低厚度和超低ESL，手機制造商采用硅基電容以確?？焖偬幚砗统∠到y(tǒng)。

在5G基站中，硅基電容以高電容能力、電容值的穩(wěn)定性增加RFPA應(yīng)用基帶性能和改善功率放大器的線性度。

在新能源汽車市場，硅電容器技術(shù)帶來了更多的功能，例如激光雷達和高壓應(yīng)用，硅基電容器或硅基電容器陣列具有超低ESL和ESR，允許長距離LIDAR具有更高的功率峰值和更短的脈沖寬度。?

在航空航天領(lǐng)域，超寬溫的產(chǎn)品可應(yīng)用在航天器中。

由于更小的尺寸和更薄的厚度，這對精確表征硅基電容帶來了嚴峻挑戰(zhàn)，和創(chuàng)聯(lián)合科技基于高頻高速測試的經(jīng)驗，推出了針對硅基電容測量的平臺，包含了硬件（包含高頻校準(zhǔn)去嵌入夾具單元，）、軟件（S參數(shù)轉(zhuǎn)Z參數(shù)模塊）以及矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀的控制模塊，無論您是在片測量還是切割后的單die測量都有完整的解決方案應(yīng)對。