氮化鎵功率半導(dǎo)體器件因其材料特性可工作于更高的電壓應(yīng)力、更快的開關(guān)頻率，具有更大的溫度容限，更適用于高頻、高功率密度的應(yīng)用場合。其在實(shí)際應(yīng)用中也存在一系列的可靠性問題和挑戰(zhàn)，其中以電流崩塌效應(yīng)最為顯著。該效應(yīng)在器件具體參數(shù)上表現(xiàn)為動態(tài)導(dǎo)通電阻。

我們采用boost電路升壓，為GaN提供一個變化的電場，通過測量完整周期的VDS和ID就能計算除整個周期RDS的變化了。目前支持的電壓500V、脈沖電流10A。支持封裝器件和晶圓級的半導(dǎo)體功率器件。